Kaufen Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 MOSFET N-CH 100V 120A TO263

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Datenblätter

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Artikelnummer

SQM120N10-3M8_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

TO-263 (D²Pak)

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

7230pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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